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高纯锗?溅射锗靶材 供应厂家

高纯锗?溅射锗靶材 供应厂家
更新时间:2017-06-20
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供应分类:北京化工 > 北京助剂
发布企业:北京环球金鑫国际科技有限公司
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详细介绍

北京环球金鑫国际科技有限公司是一家表面改性技术与真空镀膜材料研发的企业:环球金鑫以表面技术、镀膜材料和新能源开发为其研究领域,产品广泛服务于各个高校及高新技术领域的企业,公司通过多年来应用研究及新产品开发,已形成了自己独立知识产权的技术和系列产品,同时公司还拥有一支高素质的研发、生产、管理和销售队伍,与国内外多所院校、研究所、企业有合作关系。公司现主要从事表面改性、镀膜材料及高技术产品研发。

公司主要经营范围有:真空溅射靶材、光学镀膜材料、高纯金属与氧化物试剂、无机非金属材料以及提供金属、陶瓷与塑胶表面改性加工。

环球金鑫坚持以:“可靠的质量,完善的售后服务,崇高的信誉”为宗旨,凭着过硬的产品,合理的价格以及多年的创业历程,公司现已发展成为具有一定规模的专业性高新技术产品供应商,并设有加工工厂,加工检测设备齐全。公司秉乘着:“诚信为本、信誉至上”经营理念,真诚希望成为您长期的合作商,并热忱欢迎新老客户的光临!

 

 

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陶瓷靶材:氮化硅靶Si3N4,氮化铝靶AIN,氮化硼靶BN,氮化铬靶CrN,氮化锆靶ZrN,氮化钛靶TiN,碲化镉靶CdTe,二硅化钼靶MoSi2,二硫化钼MoS2,二硼化锆靶ZrB2,二硼化钛靶TiB2,二氧化锆靶ZrO2,二氧化硅靶SiO2,二氧化锰MnO2,二氧化铈靶CeO2,二氧化钛靶TiO2,二氧化锡靶SnO2,氟化钡靶BaF2,氟化钙靶CaF2,氟化铝靶AlF3,氟化镁靶MgF2,氟化铈靶CeF2,硫化镉靶CdS,硫化亚铜Cu2S,硫化锌靶ZnS,硼靶B,硼化铪靶HfB2,三氧化二铬靶Cr2O3,三氧化二锰Mn2O3,三氧化钨靶WO3,钛酸钡靶BaTiO3,钛酸镧靶LaTiO3, 钛酸镨靶PrTiO3,钛酸锶SrTiO3,石墨靶C,碳化锆靶ZrC,碳化铬靶Cr3C2,碳化硅靶SiC,碳化铪靶HfC,碳化硼靶B4C,碳化钛靶TiC,碳化钨靶W2C,五氧化二铌靶Nb2O5,氧化铒靶Er2O3,氧化钴靶CoO,氧化铪靶HfO2,氧化镓靶Ca2O3,氧化钪靶Sc2O3,氧化铝靶Al2O3,氧化镁靶MgO,氧化镍靶NiO,氧化钕靶Nd2O3,氧化钽靶Ta2O5,氧化铁靶Fe2O3,氧化铜靶CuO,氧化锌靶ZnO,氧化钇靶Y2O3,氧化铟靶In2O3,ITO靶(In2O3+SnO2),AZO靶(ZnO+AL203),LGZO靶,氧化铪靶HfO2。

Tel  :+86 010 56188357

Mob :15701313010

Q Q :2205888486

Email:huanqiujinxin@foxmail.com

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【元素名称】:锗

CAS号】:7440-56-4[2]

【相对原子质量】:72.64

【氧化态】:Main Ge+2,Ge+4

【莫氏硬度】:6

【颜色和状态】:银白色固体

【密度】:5.35克/立方厘米

【熔点】:938.25℃

【沸点】: 2833℃

纯度:99.999%、99.9999%
锗的相关产品: 锗;锗GE;锗粉;锗灰;锗棒;锗单晶片;锗锭;锗片

规格:颗粒状:1-5mm、粉末状:200目、锗靶:规格根据客户要求定做,锗蒸发料:规格根据客户要求定做

分子量:72.64

 

 

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陶瓷靶材:氮化硅靶Si3N4,氮化铝靶AIN,氮化硼靶BN,氮化铬靶CrN,氮化锆靶ZrN,氮化钛靶TiN,碲化镉靶CdTe,二硅化钼靶MoSi2,二硫化钼MoS2,二硼化锆靶ZrB2,二硼化钛靶TiB2,二氧化锆靶ZrO2,二氧化硅靶SiO2,二氧化锰MnO2,二氧化铈靶CeO2,二氧化钛靶TiO2,二氧化锡靶SnO2,氟化钡靶BaF2,氟化钙靶CaF2,氟化铝靶AlF3,氟化镁靶MgF2,氟化铈靶CeF2,硫化镉靶CdS,硫化亚铜Cu2S,硫化锌靶ZnS,硼靶B,硼化铪靶HfB2,三氧化二铬靶Cr2O3,三氧化二锰Mn2O3,三氧化钨靶WO3,钛酸钡靶BaTiO3,钛酸镧靶LaTiO3, 钛酸镨靶PrTiO3,钛酸锶SrTiO3,石墨靶C,碳化锆靶ZrC,碳化铬靶Cr3C2,碳化硅靶SiC,碳化铪靶HfC,碳化硼靶B4C,碳化钛靶TiC,碳化钨靶W2C,五氧化二铌靶Nb2O5,氧化铒靶Er2O3,氧化钴靶CoO,氧化铪靶HfO2,氧化镓靶Ca2O3,氧化钪靶Sc2O3,氧化铝靶Al2O3,氧化镁靶MgO,氧化镍靶NiO,氧化钕靶Nd2O3,氧化钽靶Ta2O5,氧化铁靶Fe2O3,氧化铜靶CuO,氧化锌靶ZnO,氧化钇靶Y2O3,氧化铟靶In2O3,ITO靶(In2O3+SnO2),AZO靶(ZnO+AL203),LGZO靶,氧化铪靶HfO2。

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性质

具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展有重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3,锗可能性划归稀散金属,锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸汽作用,但在600~700℃时,很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时,锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中,锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱,但熔融的碱在空气中,能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗,主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品

化学性质:为灰白色金属。溶于浓硫酸、硝酸、王水中,不溶于水、碱。

用途:镀膜材料,溅射靶材,红外镀膜,制造半导体器件用,用于提纯锗及半导体工业,用于制合金、银箔、电路上的接触点、银焊剂、蓄电池、科学仪器、银币、首饰以及用于电镀

 

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来源

存在于煤、铁矿和某些银矿、铜矿中,也成锗石产出。可由二氧化锗用碳还原制得。也可以煤所发生炉生产烟道中的灰尘中回收。

从精炼铜、锌、铅获得。

用途

高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原,再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶,可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。

锗单晶可作晶体管,是第一代晶体管材料。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数,对红外线透明,不透过可见光和紫外线,可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。20世纪初,锗单质曾用于治疗贫血,之后成为最早应用的半导体元素。单质锗的折射系数很高,只对红外光透明,而对可见光和紫外光不透明,所以红外夜视仪等军用观察仪采用纯锗制作透镜。锗和铌的化合物是超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂,含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能,可作广角照相机和显微镜镜头,三氯化锗还是新型光纤材料添加剂。

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锗,具有半导体性质。对固体物理学和固体电子学的发展起过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3,为银灰色脆性金属。

提取方法

锗的提取方法是首先将锗的富集物用浓盐酸氯化,制取四氯化锗,再用盐酸溶剂萃取法除去主要的杂质砷,然后经石英塔两次精馏提纯,再经高纯盐酸洗涤,可得到高纯四氯化锗,用高纯水使四氯化锗水解,得到高纯二氧化锗。一些杂质会进入水解母液,所以水解过程也是提纯过程。纯二氧化锗经烘干煅烧,在还原炉的石英管内用氢气于650-680℃还原得到金属锗。 锗具备多方面的特殊性质,在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用,是一种重要的战略资源。

生产方法:工业生产有坩埚直拉法和悬浮区熔法。坩埚直拉法 拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、高纯锗和籽晶进行清洁处理。将高纯锗经配料和掺杂,加入单晶炉的合金石英坩埚中,再经抽真空、熔化,在流通的氩气气氛下,人工引晶放肩和收尾。晶体的等径生长过程中,需根据情况适当调节功率,使其获得直径均匀的产品。经检测、称量,制得锗单晶成品。

 

 

 

 

 

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